刻蝕
刻蝕技術(shù)，是在半導(dǎo)體工藝按照掩模圖形或設(shè)計要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)?？涛g技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工?？煞譃闈穹涛g和干法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進行刻蝕。新越半導(dǎo)體為多家高校/科研機構(gòu)提供MEMS加工代工服務(wù)，熟練掌握離子束刻蝕（IBE）、深硅刻蝕（DRIE）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、聚焦離子束刻蝕（FIB）、電感耦合（ICP）等離子刻蝕等多種刻蝕方式。
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刻蝕化藥：
● 堿性：KOH，TMAH
● 酸性：HF，BOE，HCI，HNO3等
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刻蝕材料：
● 硅、氧化硅、氮化硅、金屬、石英等材料
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刻蝕技術(shù)：
● 離子束刻蝕（IBE）：用于較難刻蝕的金屬或其他物質(zhì)
● 深硅刻蝕（DRIE）：刻蝕均勻性<±5%，選擇比＞50:1
● 反應(yīng)離子刻蝕（RIE）：刻蝕Si，SiO?，SiNx等
● 聚焦離子束刻蝕（FIB）：可對材料和器件進行刻蝕、沉積、摻雜等微納加工
● 電感耦合（ICP）等離子刻蝕：刻蝕GaN，GaAs，InP等材料
